主講人：陳效雙   中科院上海技術(shù)物理研究所研究員 

時(shí)間：2016年12月7日13:00

地點(diǎn)：會(huì)議中心3、4號(hào)會(huì)議室  

舉辦單位：數(shù)理學(xué)院

主講人簡(jiǎn)介：

近年來(lái)主要從事半導(dǎo)體紅外光電子材料、器件和光子人工帶隙微結(jié)構(gòu)的光子性質(zhì)研究，圍繞國(guó)際上學(xué)科發(fā)展的前沿和國(guó)家重大需求開(kāi)展工作，解決了紅外光電子半導(dǎo)體物理和器件中一些復(fù)雜的問(wèn)題，在國(guó)際SCI刊物發(fā)表論文100多篇，論文被SCI刊物他人引用300多次，授權(quán)和申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利6項(xiàng)。榮獲國(guó)家杰出青年，上海市自然科學(xué)牡丹獎(jiǎng)，上海市自然科學(xué)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)（第二）和其它省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)3項(xiàng)。榮獲新世紀(jì)百千萬(wàn)人才工程國(guó)家級(jí)人選，享受?chē)?guó)務(wù)院政府特殊津貼。 

內(nèi)容簡(jiǎn)介：

第三代紅外焦平面器件的發(fā)展特點(diǎn)，對(duì)材料的面積、性能、摻雜技術(shù)等參數(shù)的要求迅速提高。圍繞Si基碲鎘汞材料異質(zhì)外延的機(jī)理和碲鎘汞材料p型摻雜微觀(guān)模型兩大核心問(wèn)題進(jìn)行了研究。介紹Si基As鈍化和選擇性生長(zhǎng)的機(jī)理，發(fā)現(xiàn)了As部分置換Si基襯底的鈍化機(jī)理以及對(duì)CdTe外延A、B面極性的選擇生長(zhǎng)的控制。提出了碲鎘汞材料As摻雜的激活微觀(guān)模型，發(fā)現(xiàn)了As_Hg+VHg復(fù)合缺陷提供碲鎘汞材料p摻雜的激活過(guò)程。提出了砷p型原位摻雜的優(yōu)化工藝，獲得質(zhì)量較好的硅基外延的碲鎘汞薄膜。揭示了碲鎘汞探測(cè)器件n型高摻雜區(qū)域光響應(yīng)“藍(lán)移”的起源，提出了混合鈍化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)波碲鎘汞紅外探測(cè)器暗電流兩個(gè)數(shù)量級(jí)的下降。結(jié)果對(duì)實(shí)現(xiàn)智能型，高分辨，超大規(guī)模焦平面紅外探測(cè)器的進(jìn)一步發(fā)展有重要的指導(dǎo)意義。